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MLC（Multi-Level Cell）
MLC采用双层设计，即每1个单元同一时间存储2个bit的数据，成本、速率和容量得到了非常好的平衡。P/E（闪存颗粒存储次数）约3K～30K（例如Kingston E100系列采用eMLC颗粒，P/E为30K）。有4种存储状态，分别是00、01、10、11。
TLC（Triple Level Cell）
TLC从成本考虑，采用了三层设计，即每1个单元同一时间存储3位数据。其特点是存储密度高，相同存储空间的制造成本更低，但代价是相对较低的写入速度和较差的耐久力。TLC芯片的P/E（闪存颗粒存储次数）约为500～1K，有8种存储状态，分别是000、001、010、100、011、101、110、111。

采用 MLC 的优势
TLC之所以比MLC寿命低，是因为TLC的存储状态更多，进行数据读写时对存储单元消耗更大。举例来讲，相同主控芯片情况下，使用主流的2xnm闪存芯片，拥有3K P/E的MLC芯片是500 P/E的TLC芯片寿命的6倍！随着芯片纳米制程的提高，闪存芯片的存储寿命也在降低，这样一来，为了保证SSD的使用寿命，更加有必要采用MLC芯片做为存储。